Samsung hat soeben im Rahmen seines Unpacked-Events in New York den Schleier über den zwei neuen Premium-Smartphones Galaxy Note 5 und Galaxy S6 Edge+ gelüftet. Aufgrund unzähliger Leaks in den letzten Tagen und Wochen stellt die Vorstellung der Android-Geräte sowie deren Ausstattung keine Überraschung mehr dar, dennoch ist es gut, jetzt endlich auf Basis offizieller Angaben berichten zu können. Ein wichtiges Detail zur Verfügbarkeit der Neuvorstellungen außerdem gleich vorne weg: Das Galaxy Note 5 wird es zunächst einmal nur inden USA und ausgewählten asiatischen Märkten zu kaufen geben, während das Galaxy S6 Edge+ sowohl in Europa als auch dem Rest der Welt ab Ende August erhältlich sein wird.

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Mit dem Galaxy Note 5 und dem Galaxy S6 Edge+ präsentiert Samsung zwei sehr ähnliche High-End-Geräte. Einzig signifikante Unterschiede sind, dass sich nur das Note 5 optional auch mit dem beiliegenden S Pen Stylus bedienen lässt und nur das S6 Edge+ wie schon zuvor das Galaxy S6 Edge ein sogenanntes Dual-Edge-Screen besitzt. Das Galaxy Note 5 verfügt wie der Vorgänger Galaxy Note 4 über ein 5,7 Zoll großes QHD-AMOLED-Display (2560 x 1440 Pixel), ansonsten ist die Hardware aber deutlich leistungsfähiger geworden. Samsung hat für das neue Note-Modell außerdem das Gehäuse-Design des Galaxy S6 übernommen. Wir blicken also auf ein Phablet, dessen Gehäuse aus einer Kombination von Metall und Glas besteht. Anders als beim S6 hat der südkoreanische Elektronikriese aber beim Note 5 die gläserne Rückseite zu den Kanten hin abgerundet, was für höheren Nutzerkomfort sorgen soll. Aufgrund des neu gestalteten Chassis besitzt das Note 5 keinen microSD-Slot mehr und auch der Akku ist nicht wechselbar, dafür wartet es aber mit Wireless Charging, 4 Gigabyte RAM, neue Software-Features und einem verbesserten S Pen auf.

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Der Fortschritt vom Snapdragon 410 auf den Snapdragon 412 fällt etwas größer aus. In diesem Fall hat Qualcomm den insgesamt vier ARM Cortex A53 Kernen des neuen SoCs eine Taktsteigerung von 200 Megahertz spendiert. Sie rechnen nun also mit 1,4 statt mit 1,2 Gigahertz. Darüber hinaus wurde das Speicher-Interface beschleunigt und unterstützt nun LPDDR2- beziehungsweise LPDDR3-RAM mit 600 Megahertz. Beim Snapdragon 410 sind nur 533 Megahertz möglich.Schließlich kommen wir noch zum Snapdragon 212, dessen Vorteile im Vergleich zum Vorgänger ähnlich wie beim Snapdragon 616 nur marginal sind. Qualcomm taktet die vier ARM Cortex A7 Kerne beim neuen SoC nun mit 1,3 Gigahertz statt der 1,1 Gigahertz beim Snapdragon 210, ansonsten wurden aber keine Änderungen am Chipdesign vorgenommen.Qualcomm wird außerdem nichts am Fertigungsprozess für alle genannten neuen SoCs umstellen. Sie werden also weiterhin im 28 Nanometer Verfahren produziert. In Sachen Features unterstützen Snapdragon 616 und 412 wie ihre Vorgänger 64-Bit-Instruktionen, nur der 616 bietet WLAN nach 802.11ac und alle neuen Modelle besitzen ein LTE-Modem. Offen ist derzeit noch, wann die drei SoCs auf dem Markt zu finden sein werden, da Qualcomm diesbezüglich keine Angaben gemacht hat. Es ist aber davon auszugehen, dasserste entsprechend ausgestattete Geräte vor dem Jahresende im Handel erhältlich sein werden.